 生长习性 山药喜温暖、阳光充足的环境。茎叶喜温怕霜，25℃～28℃为生长适宜温度；根茎发芽要求土温在15℃左右；根茎在土温20℃～24℃时生长较快，20℃以下生长缓慢。山药虽耐阴，但养分积累、根茎长粗常需要强光。土壤以沙壤土为好，地下水位不足1米的地块不能栽培。山药喜有机肥。以怀山药为例，生长发育大约分为五个阶段：幼苗期（从发芽、出苗至展叶，4月初至5月中旬）、盘根期（从展叶至现蕾，5月上中旬至6月中下旬）、根茎膨大期 （从现蕾至根茎基本停止生长，7月上中旬至9月上中旬）、根茎膨大后期 （9月上中旬至10月底，10月底为成熟期）、休眠期（地上部枯萎至翌年发芽）。 栽培技术 栽培方式：山药有单作和间作两种栽培方式。山药只可连作2年，否则会发生严重病害，出现根茎发杈现象。山药容易感染病害，应特别注意不要与容易感染病毒病的植物如烟草轮作。选地整地：山药为深根植物，耐肥力较强，宜选择土层深厚、肥沃疏松、向阳温暖、排水良好、地下水位在1米以下的沙壤土种植。地选好后挖种植沟，种植沟一定要挖直，应在头年冬季之前挖好。种植沟一般分单沟单行和单沟双行两种。单沟单行沟距1米，沟宽0.5米，深0.6～1米；单沟双行沟距1.2米，沟宽 0.6米 ，深0.6～1米。挖种植沟不要打乱土层。结合填土可施入充分腐熟的有机肥 （要与土掺和均匀）。沟土填满后，要灌水折实土壤，以避免夏季遇大雨塌沟折断山药根茎。最后做成平畦待播。在同一块地上栽培山药，可实行隔沟轮换的方法种植，即把土地分成宽1.5米或1.8米的种植带，第一年在0～0.5米或0～0.6米处挖种植沟，第二年在0.5～1米或0.6～1.2米处挖种植沟，第三年在1～1.5米或1.2～1.8米处挖种植沟。这样以来，在同一块地上山药可连续种植3年以上。繁殖方法：山药栽子繁殖法即顶芽繁殖或节头繁殖，是指将根茎上端较细的脖形部分、具有隐芽和茎痕的一段掰下作种。采用此繁殖方法山药发芽快、苗壮，但连续使用此繁殖方法3年以上，山药生产力衰退，产量降低。    |
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